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BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模块替代英飞凌IGBT模块|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模块替...

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公司介绍
 为什么在商用空调热泵驱动中SiC碳化硅MOSFET正在替代IGBT!
国产基本™(BASiC Semiconductor)SiC碳化硅MOSFET在三相热泵商用空调压缩机驱动中的应用-倾佳电子(Changer Tech)专业分销
 
适用于三相热泵商用空调压缩机驱动的国产基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅MOSFET模块-倾佳电子(Changer Tech)专业分销
 
倾佳电子(Changer Tech)致力于基本公司国产碳化硅(SiC)MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT,全力推动基本公司国产碳化硅(SiC)MOSFET加速革掉IGBT的命!Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
 
对于通用应用,SiC 功率器件可以替代 Si IGBT,从而将开关损耗降低高达 70% 至 80%,具体取决于转换器和电压和电流水平。IGBT 相关的较高损耗可能成为一个重要的考虑因素。热管理会增加使用 IGBT 的成本,而其较慢的开关速度会增加电容器和电感器等无源元件的成本。从整体系统成本来看SiC MOSFET加速替代IGBT已经成为各类新的电力电子设计中的主流趋势。SiC MOSFET 更耐热失控。碳化硅导热性更强,可实现更好的设备级... [详细介绍]
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